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08. Januar 2024

IKZ und Oxide Corporation unterzeichnen gemeinsamen Forschungs- und Entwicklungsvertrag

Das Adlershofer Forschungsinstitut leistet Technologietransfer von modernen einkristallinen Materialien für Laseranwendungen an das japanische Unternehmen

Kristallzüchtungsanlage der Sektion "Oxide und Fluoride" am IKZ © Dr. Hiroki Tanaka
Kristallzüchtungsanlage der Sektion "Oxide und Fluoride" am IKZ © Dr. Hiroki Tanaka / IKZ

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung und die Oxide Corporation, ein japanisches Unternehmen, das sich auf die Erforschung und Herstellung von Einkristallen und Lasergeräten spezialisiert hat, haben einen gemeinsamen Forschungs- und Entwicklungsvertrag über den Technologietransfer von modernen einkristallinen Materialien für Laseranwendungen geschlossen.

Oxide Corporation ist ein im Jahr 2000 gegründetes Spin-off-Unternehmen des National Institute for Materials Science (NIMS). Seit seiner Gründung hat sich Oxide zum Ziel gesetzt, ein weltweit führendes Unternehmen auf dem Gebiet der Einkristalle und Laser zu werden, und engagiert sich aktiv für die praktische Umsetzung von Forschungsergebnissen, die nicht nur in der eigenen Forschung, sondern auch an Universitätsforschungsinstituten in Japan und im Ausland erzielt wurden.

Das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ) in Berlin-Adlershof ist ein internationales state-of-the-art Kompetenzzentrum für Wissenschaft & Technologie sowie Service & Transfer für Innovationen in und durch kristalline Materialien. Das F&E-Spektrum reicht dabei von Grundlagen- über angewandte Forschungsaktivitäten bis hin zu vorindustriellen Forschungsaufgaben.

In der heutigen Industrie spielen Lasergeräte eine unentbehrliche Rolle in den unterschiedlichsten Bereichen, von der Materialbearbeitung in der Automobilherstellung bis hin zu kritischen Prüfverfahren in der Halbleiterindustrie. Der steigende Bedarf an diesen Geräten ist die treibende Kraft für kontinuierliche technologische Weiterentwicklungen, insbesondere bei Hochleistungslasern und kohärenten Lichtquellen mit kürzeren Wellenlängen. Im Mittelpunkt dieser Laserinnovationen stehen funktionale Einkristalle, die sowohl bei der Erzeugung als auch bei der Steuerung von Laserstrahlen eine zentrale Rolle spielen. Die Leistung und die Möglichkeiten des fertigen Produkts hängen wesentlich von der Qualität und den Eigenschaften dieser kristallinen Materialien ab. Sie sind das wesentliche Rückgrat, welches die Effizienz und Präzision der Lasertechnologien bestimmt.

Vor diesem Hintergrund haben Oxide und IKZ offiziell eine Technologietransfer-Vereinbarung geschlossen, in der das IKZ seine Spitzentechnologie für einkristalline Materialien der nächsten Generation von Lasern an Oxide weitergeben wird. Die innovative Technologie, die durch umfangreiche Forschung am IKZ entwickelt wurde, zielt darauf ab, die Leistungsbeschränkungen bei Lasern mit höherer Leistung und kürzeren Wellenlängen zu überwinden. Die Vereinbarung spiegelt die gegenseitige Verpflichtung von IKZ und Oxide wider, diese Grenzen zu überwinden, und markiert einen entscheidenden Durchbruch in der Lasertechnologie. Diese Zusammenarbeit bildet die Grundlage für weitere gemeinsame Forschungs- und Entwicklungsinitiativen mit Schwerpunkt auf kristallinen Materialien. Unser gemeinsames Ziel ist es, diese Fortschritte nahtlos in praktische Anwendungen zu integrieren, den Fortschritt in den Bereichen Laser und Optik zu fördern und auf diese Weise einen bedeutenden Beitrag zur gesellschaftlichen Weiterentwicklung zu leisten.

 

Kontakt

Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ)

Dr. Hiroki Tanaka
Nachwuchsgruppenleiter Fluoridkristalle für Photonik
Volumenkristalle / Oxide & Fluoride
+49 30 6392 2821
hiroki.tanaka(at)ikz-berlin.de

Stefanie Grüber
Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
+49 30 6392 3263
stefanie.grueber(at)ikz-berlin.de

www.ikz-berlin.de

 

Pressemitteilung IKZ vom 21.12.2023

Außeruniversitäre Forschung Mikrosysteme / Materialien Photonik / Optik

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Verknüpfte Einrichtungen

  • Leibniz-Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin e.V. (IKZ)
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