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11. Dezember 2019

Paul Rappaport Award an FBH-Autoren verliehen

Die Electron Device Society würdigte die beste Publikation, die 2018 in den IEEE Transactions on Electron Devices veröffentlicht wurde

Für die Publikation „Local 2DEG Density Control in Heterostructures of Piezoelectric Materials and Its Application in GaN HEMT Fabrication Technology“ wurden die Autoren Konstantin Osipov, Joachim Würfl, Ina Ostermay, Frank Brunner, Günther Tränkle und Maniteja Bodduluri mit dem renommierten Paul Rappaport Award 2018 ausgezeichnet. Damit würdigt die Electron Device Society jährlich die beste Arbeit, die in den IEEE Transactions on Electron Devices im Vorjahr veröffentlicht wurde. Die Arbeit wurde aus mehr als 790 Artikeln ausgewählt, die 2018 veröffentlicht wurden. Ina Ostermay nahm den mit 2500 $ dotierten Preis stellvertretend für das Autorenteam am 9. Dezember 2019 in San Francisco entgegen.

Weitere Informationen:

Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Petra Immerz, Gisela Gurr
Kommunikation & Public Relations
Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin
E-Mail pr(at)fbh-berlin.de
www.fbh-berlin.de

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