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18. Oktober 2006

2,42 Mio EUR für Mobilfunk mit mehr Leistung bei weniger Energie

FBH Forschungsvorhaben "GaN-Switchmode" vom Forschungsministerium gefördert

Ob Fernsehen auf dem Handy oder rasanter Download ohne Kabel: Die Anforderungen an das Mobilfunknetz steigen gewaltig, und dabei sollen die Kosten niedrig bleiben. Ein aktuelles Forschungsprojekt am Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) will nun kompakte und multifunktionale Mobilfunk-Basisstationen mit deutlich geringerem Energieverbrauch als bisher ermöglichen. Diese Stationen werden an Sendemasten eingesetzt und benötigen leistungsfähige Verstärker. Das FBH-Projekt sieht vor, vollkommen neuartige, energieeffiziente und hochlineare Mikrowellen-Leistungsverstärker auf Galliumnitrid-Basis (GaN) zu entwickeln.

 

Die getakteten Verstärker sollen bei 2 GHz betrieben werden und eine Spitzenleistung von bis zu 140 Watt erreichen. Der Gesamtwirkungsgrad der Mikrowellen-Leistungsverstärker, die den Hauptanteil am Energieverbrauch von Basisstationen haben, würde damit von derzeit etwa 15 auf 40 Prozent gesteigert werden. "GaN-Switchmode - GaN-MMICs für Class-S Leistungsverstärker" heißt der FBH-Projektteil, der vom BMBF im Förderschwerpunkt "mobile GaN" mit 2,42 Millionen Euro drei Jahre lang gefördert wird.

 

 

"Für die hohen Leistungsanforderungen müssen völlig neue Verstärkerarchitekturen entwickelt und bestehende Prozesse angepasst werden", erläutert Projektleiter Dr. Joachim Würfl vom FBH. Das erfordert sowohl innovative technologische Konzepte als auch ein neues Vorgehen bei Modellierung und Design der Schaltverstärkerstrukturen. Das FBH baut dabei auf Erfahrungen aus früheren GaN-Projekten auf.

 

 

Durch die enge Zusammenarbeit mit den Industriepartnern Lucent Technologies, UMS und EADS ist zudem der bedarfsgerechte, frühzeitige Transfer der Projektergebnisse für die Mobilfunksysteme der nächsten Generation gesichert. Von dem anspruchsvollen Vorhaben erwarten die insgesamt sechs Projektpartner einen entscheidenden Wettbewerbsvorteil in der Zukunftstechnologie Galliumnitrid. Dieses Halbleitermaterial ist die Basis für breitbandige, lineare Hochleistungsanwendungen und ermöglicht bei Mobilfunk-Basisstationen nicht nur einen niedrigeren Energieverbrauch, sondern zeichnet sich auch durch geringere Verzerrungen aus. Das ist die Voraussetzung für höherstufige Modulationsverfahren und damit noch höhere Datenraten.

 

Weitere Informationen

Petra Immerz, M.A.

Referentin Kommunikation & Marketing

Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik

Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin

Tel. +49.30.6392-2626

Fax +49.30.6392-2602

E-Mail petra.immerz(at)fbh-berlin.de

www.fbh-berlin.de

IT / Medien Mikrosysteme / Materialien Photonik / Optik
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